等离子化学气相淀积设备
- 品牌： Oxford Plasma Technology公司
- 型号： PlasmaPro System 100 沉积温度300-400℃，沉积SiO2的速率大于40 nm/min，沉积SiN的速率大于10 nm/min
- 产地： 英国
- 启用日期： 1969-12-31
- 学科领域： 物理学 材料科学
- 仪器名称：
- 等离子化学气相淀积设备
- 英文名称：
- PECVD
- 所属分类：
- 工艺试验仪器 > 电子工艺实验设备 > 半导体集成电路工艺实验设备
- 学科领域：
- 物理学 材料科学
- 技术指标：
- 可蒸发不同厚度的SiO2和SiNx薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。 沉积薄膜种类：SiO2，SiNx，SiONx 基底温度：小于400oC 薄膜均匀性：±3% （ 4英寸 ） 装片：小于6英寸的任意规格的样品若干
- 主要功能：
- 借助射频功率产生气体放电，使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体。在基片上沉积出所期望的薄膜。
- 服务内容：
- 生长SiO2和SiNx薄膜
- 收费标准：
- 700元/小时
- 用户须知：
- 遵守微纳加工实验室规章制度
等离子化学气相淀积设备
仪器信息
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