PECVD100等离子增强化学气相淀积系统

PECVD100等离子增强化学气相淀积系统

• 品牌： FHR Anlagenbau GMBH
• 型号： PECVD100PECVD100
• 产地： 德国
• 启用日期： 2011-12-01
• 学科领域： 动力与电气工程

仪器信息

仪器名称：

PECVD100等离子增强化学气相淀积系统




英文名称：

Plasma enhanced chemical vapor deposition system




所属分类：

工艺试验仪器 > 加工工艺实验设备 > 机加工工艺实验设备




学科领域：

动力与电气工程




技术指标：

loadlock：极限真空< 1x10-3 mbar;抽真空两小时后测得的漏率为3x10-6 mbar/s; 工艺腔室：抽真空两小时极限真空<6x10-6 mbar ;抽真空两小时后测得的漏率为1x10-5 mbar/s; 温控范围80°C - 500 °C，温控精度： +/- 0,5 °C；




主要功能：

生长低应力薄膜SiO2、Si3N3及a-Si膜层




服务信息

服务内容：

提供4英寸圆片薄膜淀积：SiO2、Si3N3及a-Si




收费标准：

1000元/片（<300nm）




用户须知：

4英寸基片，可生长SiO2、Si3N4及多晶硅等薄膜。