需求详情：

氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、辐射能力强、化学性质稳定和功率密度高等优点，具有十分广阔的应用前景。随着氮化镓（GaN）技术的进步，特别是大直径硅（Si）基氮化镓（GaN）外延技术的逐步成熟和商业化，氮化镓（GaN）功率半导体技术成为高性能低成本功率器件技术的解决方案，研发氮化镓（GaN）功率半导体技术具有显著的经济效益和社会效益。 我公司拥有研发氮化镓功率半导体器件技术所需的洁净室、研发仪器设备，拥有LED芯片研发团队，具备氮化镓功率器件制作工艺技术研发与产业化的基础条件。我公司希望通过技术合作的方式引进先进的氮化镓功率半导体器件技术，通过联合开发，形成具有自主知识产权的氮化镓功率器件制作工艺和氮化镓功率器件产品。

需求预算：面议

需求类型：其他